SJ 50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范
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ID： |
7BBA5AE966EA491980E084D5C4CB5301 |
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文件大小(MB)： |
0.22 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2009-6-11 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/159- 2002,半导 体 分 立 器 件,3DG1 型硅超高频低噪声晶体管,详细 规 范,Semiconductor discrete devices,Detailsp ecificationf orty pe3 DG142s iliconU HFlo w-noisetr ansistor,2002-10--30发布2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半 导 体 分 立 器件,3DG 142型硅超高频低噪声晶体管详细规范5J 50033/159. 2002,Se mi co nd u cto r d i scr et e d e vi ce s,Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor,范围,.1 主题内容.,本规 范规定了3DG142型硅超高频低噪产‘性磊体管C以卞简称器件)的详细要求,.2 适用范围,本规 范适用于器件的研对又属至产不{课两泵,.3 分类,本规 范根据器件质:R:4级ae分类,.31 器件的等9;,竣,按GJB 33A书7《半导狂分览.器件总规范II汀;3的规定，提供白够贷豪保证等级为瞥军级、特军,级和超特军级三级，份别用争脚P每一J呀盯酥表录a,2 引用文件,GBI T45 87+0一‘半导体分劲立器件和一集成电琳第7部分:双极型.彝丝一管,GB IT7 58 1 =8 粉半导体矜奕器作外形尺寸-,GJ B3 3A 一97r ` 导体分立器件总规范,GJ B 12 8A一97、半导1体;荃立器件，试验方瑙寥,3 要求,3.1 详细要求,各 项要 求 应符合GJB_33入种本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件 的 设 计、结构和外形尺吐应一符GIB',- ,.}六 本规筵的规定0.:.,3.2.1 引出端材料和镀涂层,发射 极 、基极和集电极引出端材料为可伐合金，引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,采用 硅 平 面NPN双极型外延结构.,3.2.3 外形尺寸,外 形 尺寸 按GBIT7 581中A4-0I C 型的规定，见图I,中华人民共和国信息产业部2002-14--30发布2003-03-01实施,SJ 50033/159--2002,必D,叻Q,450,暇mm,OD,符号,尺寸,最小标称最大,.4 5.34 7.23,咖2.54,必f 1.01,沙a 0.407 0.508,四5.31 5.84,四, 4.53 4.95,J 0.92 l，15,K 0.51 1.21,L 12.5 25.0,Lf 1.27,引出端极性:,I发射极,2摹极,3集电极,4地,图1 外形尺寸图,3.3,3.3.1,最大额定值和主要电特性,最大 额定值见表,表1 最大额定值,型号,pt-M ,’,m w,T,,=25'C,VCB0,V,性r-),V,Ic,讯人,Tstg,℃,T;,℃,3DG142 100 15 12 15 -65---200 200,1)当TA>25℃时，按0.57 mNVIK线性降额,3.3.2 土要电特性见表(TA=250C ) ,SJ 50033/159--2002,表r: 主要电特性,叹六F庄E1l1y r不rcs sat,V,场01,uA,ICFO,vA,fT,A公七,Ga,dB,凡,dB,Ic=1 mA,胜E=6 V,Ic=10 mA,几=1 mA,Ie= 0,咬$=6 V,IE= 0,VCE=6 V,户4 00M Hz,Vcs=6 V, Ic=I MA,最小值最大值最大位最大值最大值最小值最小值最大值,3DG 142A,3DG 142B,3DG142C,20 120 0.3 0.1 0.1 800 8,4,3,2.5,1)直流法测试.,3.4,3.5,测试要求,测试应符合GlB 33A及本规范的规定。少、,标志,器件上应有如下标志:,器 件型号;,承 制方标志;,4 质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样 和 检 验应打合石〕幻球和本规范表4、表浪几义滚b、表7的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应兮 GA}.rJ BW} 3t3 A V* IX范 的规斌,4.3 筛选(仅对JT和 超T级),筛选 应 按G JBJ 3A的表2的翻义认具体筛选要求撑冰奔见莎表IRj 进FJ.'IA" 琪R1试应按本决见范表4的,规定进行，超过本规范表4秘值的器件应剔除子,‘一表3一‘一污筛选要求’‘,筛 选,见GJB 33A表2,试 验 方 法,Gjn lz9A;法一号,条『’件,竹和 犷堆,1.内部目检2072# 一、NO份强1微镜,2.高温寿命1b3-lr X204攀一黔 48 七,3.温度循环1如-, ‘而丢件Cc乡p} 循王,2(3次 -},4.恒定加速度2006 ~丁防简71死000 mls},保持1 min要求不适用,7.密封,a. 细 检 漏,b。 粗 检 漏,107[,条件}I,.R ,=5 X 1 0-3Pa cm31s,P =-'517k Pa,r -4h,条件C, P=517 kPa, t=2 h,9.中间测试电参数kRa I和hFEI,10.高温反偏1039 TA=150 C，Vcs=12 V, t=48 h,11.中间电参数10301和hFE,12.功率老炼1039 TA=2 5r- ，pb=10V , 八,t=104m W*t -160h,13.终点测试o lcao，为初始值的】00%或4.05 i A……
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